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专利名称:低射频鞘、高灵活性多元阵射频波加热天线

文章来源: 发布时间: 2021-09-22

专利名称:低射频鞘、高灵活性多元阵射频波加热天线

申 请 号 

CN201910432381.3

申 请 日 

20190523

公开(公告)号

CN110278649B

公开(公告)日 

20210511

申请(专利权)人 

中国科学院合肥物质科学研究院

发 明 人 

宋云涛;杨庆喜;王永胜;陈肇玺;徐皓; 赵燕平

专利类型 

发明专利

摘 要 

本发明公开了一种低射频鞘、高灵活性多元阵射频波加热天线,外导体的一端与天线支撑箱体背部通过法兰固定连接,天线支撑箱体的正面与法拉第屏蔽腔体的背面固定连接,电流带位于法拉第屏蔽腔体内侧,电流带的一端固定在法拉第屏蔽腔体内壁上,内导体依次穿过外导体、天线支撑箱体和法拉第屏蔽腔体与电流带的另一端连接。本发明主要对离子回旋加热天线沿着托卡马克装置磁场环向场分量旋转,降低天线两端射频鞘电势,减少杂质产生。在法拉第屏蔽隔板上开设梳齿状切缝,允许激发磁声波的场分量不受影响地通过, 并在法拉第屏蔽之间设计高介电常数的绝缘陶瓷作为限制器,避免等离子体与电流带形成通路,降低电流带之间互耦,提高耦合功率。

主权项 

一种低射频鞘、高灵活性多元阵射频波加热天线,其特征在于:包括有单元阵天线,所述的单元阵天线包括有天线支撑箱体、法拉第屏蔽腔体、电流带、内导体和外导体,所述的外导体的一端与天线支撑箱体背部通过法兰固定连接,天线支撑箱体的正面与法拉第屏蔽腔体的背面固定连接,所述的电流带位于法拉第屏蔽腔体内侧,电流带的一端固定在法拉第屏蔽腔体内壁上,所述的内导体依次穿过外导体、天线支撑箱体和法拉第屏蔽腔体与电流带的另一端连接,内导体和外导体尾部分别与真空馈口固定连接; 将多个单元阵天线并列设置,在每两个相邻的单元阵天线之间均安装有限制器,将每两个相邻的单元阵天线的法拉第屏蔽腔体的上下端固定连接,每个限制器均与其两侧的法拉第屏蔽腔体的上下端固定连接,多个单元阵天线固定连接后形成多元阵天线。

IPC信息 

IPC主分类号 

H05H1/18

IPC分类号 

H05H1/18

  H 电学

    H05 其他类目不包含的电技术

      H05H 等离子体技术;加速的带电粒子或中子的产生;中性分子或原子射束的产生或加速

        H05H1/00 等离子体的产生;等离子体的处理

          ***H05H1/18 其中该场以甚高频振荡的

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